[发明专利]一种CVD沉积石墨烯膜的规模化生产方法

摘要

本发明公开了一种CVD沉积石墨烯膜的规模化生产方法，采用化学气相沉积技术，在真空状态下先对金属基底进行热处理，通入惰性气体和碳源气体，碳源气体高温下在金属基底表面催化裂解，生长出石墨烯，采用多层金属基底叠加的方式规模化生长，相邻两层金属基底之间用隔离层隔开。本发明通过隔离层的设置，不仅防止金属基底的粘连，且不影响每层铜箔沉积高质量石墨烯，实现了一片基板可装多层的用于生长石墨烯的金属基底，从而达到同样一个反应炉可应现传统CVD法的百倍以上的产能，实现了大规模化的生产。

主权项

1.一种CVD沉积石墨烯膜的规模化生产方法，采用化学气相沉积技术，在真空状态下先对金属基底进行热处理，通入惰性气体和碳源气体，碳源气体高温下在金属基底表面催化裂解，生长出石墨烯，其特征在于：采用多层金属基底叠加的方式规模化生长，相邻两层金属基底之间用隔离层隔开，所述金属基底与所述隔离层直接叠加，所述隔离层为轻质耐高温隔离材料，于1050℃下物化性质稳定，所述隔离层为石墨纸、碳纤维布、碳化硅纤维布中的一种或多种；其中，通入惰性气体和碳源气体的流量比为1：(1‑20)，所述惰性气体为不与金属基底与碳源气体反应的氢气和/或氩气；在转移、刻蚀步骤中，将已生长石墨烯的金属基底的朝上的一面与基底粘合，再将金属基底刻蚀掉。