[发明专利]半导体集成电路器件有效
| 申请号： | 201610051798.1 | 申请日： | 2012-04-12 |
| 公开（公告）号： | CN105741866B | 公开（公告）日： | 2018-08-24 |
| 发明（设计）人： | 高桥弘行;山野诚也 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/12 | 分类号： | G11C7/12;H01L21/8234;H01L27/02;H01L27/108 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 李兰;孙志湧 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体集成电路器件，包括：一对互补信号线；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述一对互补信号线中的一条，以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个，并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个耦合到所述一对互补信号线中的另一条，其中所述第一晶体管的栅极宽度的方向不同于所述第二晶体管的栅极宽度的方向。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 器件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路器件，包括：一对互补信号线；第一晶体管，所述第一晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第一晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述一对互补信号线中的一条，以及第二晶体管，所述第二晶体管具有栅极、源极和漏极，所述第二晶体管的栅极耦合到所述第一晶体管的栅极，所述第二晶体管的源极和漏极中的一个耦合到所述第一晶体管的源极和漏极中的另一个，并且所述第二晶体管的源极和漏极中的另一个耦合到所述一对互补信号线中的另一条，其中所述第一晶体管的栅极宽度的方向不同于所述第二晶体管的栅极宽度的方向，其中所述一对互补信号线在所述第二晶体管的栅极宽度的方向上延伸。
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