[发明专利]具有翘曲调节结构层的LED外延结构及其生长方法有效
| 申请号： | 201610047614.4 | 申请日： | 2016-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN105679898B | 公开（公告）日： | 2018-11-30 |
| 发明（设计）人： | 马旺;王承军;曲爽;王成新;徐现刚 | 申请（专利权）人： | 山东浪潮华光光电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/04;H01L33/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 济南日新专利代理事务所 37224 | 代理人： | 王书刚 |
| 地址： | 261061 *** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 一种具有翘曲调节结构层的LED外延结构及其生长方法，在LED的高温GaN层和高温N型GaN层之间插入翘曲调节结构层，该结构为Si3N4/GaN/AlGaN/GaN超晶格层，该结构周期数量1‑40个，单周期厚度31‑1930nm，生长温度700‑1200℃，生长生长压力50‑300torr，其中Si3N4层和AlGaN层生长条件可以相同也可以不同，当Si3N4层和AlGaN层生长条件不同时，通过中间的GaN层过渡条件变化，然后通过调节Si3N4层厚度和SiH4流量、调节AlGaN层厚度和Al组分，进行配合，调节外延片生长过程中的翘曲程度，从而提高LED外延片产品单片片内参数均匀性，提高LED外延片良率。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 曲调 结构 led 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种具有翘曲调节结构层的LED外延结构，自下至上依次包含蓝宝石衬底、成核层、粗化层、高温GaN层、高温N型GaN层、发光层、P型AlGaN层和P型GaN层，其特征是：在高温GaN层与高温N型GaN层之间设置有翘曲调节结构层，该翘曲调节结构层为Si3N4层、第一GaN层、AlGaN层和第二GaN层的超晶格层，周期数为1‑40。
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