[发明专利]NAND存储器的多比特编程方法及装置有效
| 申请号： | 201610045632.9 | 申请日： | 2016-01-22 |
| 公开（公告）号： | CN105719693B | 公开（公告）日： | 2019-09-17 |
| 发明（设计）人： | 靳旭;伍冬;吴华强;钱鹤;曹堪宇;朱一明 | 申请（专利权）人： | 清华大学;北京兆易创新科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 彭久云;王晓燕 |
| 地址： | 10008*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 提供了一种NAND存储器的多比特编程方法及装置。所述方法包括：将被编程的多比特数据写入数据锁存器组，所述多比特数据为格雷码码字；将所述多比特数据从所述格雷码码字转换为加速编码码字；对存储阵列中需要被编程的存储单元进行编程；对被编程的各所述存储单元执行编程验证操作；对被编程的各所述存储单元执行锁存扫描操作；以及对被编程的各所述存储单元执行确认扫描操作。所述方法根据锁存器的结构重新设计编码，减少了编程过程中复杂的冗余操作的数量，因而可以加快编程的速度，降低功耗。 | ||
| 搜索关键词： | nand 存储器 比特 编程 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种NAND存储器的多比特编程方法，包括：将被编程的多比特数据写入数据锁存器组，所述多比特数据为格雷码码字；通过加速编码将所述多比特数据从所述格雷码码字转换为加速编码码字；对存储阵列中需要被编程的存储单元进行编程；对被编程的各所述存储单元执行编程验证操作；对被编程的各所述存储单元执行锁存扫描操作；以及对被编程的各所述存储单元执行确认扫描操作；其中，所述加速编码包括对多个电压等级进行编码，其中，低电压等级对应的加速编码码字中包括的“0”的数目不少于高电压等级对应的加速编码码字中包括的“0”的数目；以及对于包括相等“0”数目的电压等级，通过转换与所述电压等级对应的格雷码码字的最少数目的数据锁存器来得到所述电压等级的加速编码码字。
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