[发明专利]具有经增强量子效率的图像传感器

摘要

本申请案涉及具有经增强量子效率的图像传感器。一种背侧照明式图像传感器包含：像素阵列，其包含半导体材料；及图像传感器电路，其安置于所述半导体材料的前侧上，以控制所述像素阵列的操作。第一像素包含第一经掺杂区域，所述第一经掺杂区域接近所述半导体材料的背侧安置且向所述半导体材料中延伸第一深度以到达所述图像传感器电路。具有第二经掺杂区域的第二像素接近所述半导体材料的所述背侧安置且向所述半导体材料中延伸第二深度，所述第二深度小于所述第一深度。第三经掺杂区域安置于所述第二经掺杂区域与所述半导体材料的所述前侧上的所述图像传感器电路之间。所述第三经掺杂区域与所述第一经掺杂区域及所述第二经掺杂区域电隔离。

主权项

1.一种背侧照明式图像传感器，其包括：像素阵列，其包含具有前侧及背侧的半导体材料；图像传感器电路，其安置于所述半导体材料的所述前侧上，以控制所述像素阵列的操作并从所述像素阵列读出图像电荷；所述像素阵列中的第一像素包含第一经掺杂区域，其中所述第一经掺杂区域在所述半导体材料中接近所述背侧安置且向所述半导体材料中延伸第一深度以到达所述图像传感器电路；且所述像素阵列中的第二像素包含：第二经掺杂区域，其中所述第二经掺杂区域接近所述半导体材料的所述背侧安置且向所述半导体材料中延伸第二深度，所述第二深度小于所述第一深度；及第三经掺杂区域，其中所述第三经掺杂区域安置于所述第二经掺杂区域与所述半导体材料的所述前侧上的所述图像传感器电路之间，且其中所述第三经掺杂区域与所述第一经掺杂区域及所述第二经掺杂区域电隔离，其中所述第二深度小于红色光在所述半导体材料中的消光长度且大于蓝色光及绿色光在所述半导体材料中的消光长度，使得所述第二经掺杂区域吸收蓝色光及绿色光且允许红色光穿过所述半导体材料以由所述第三经掺杂区域吸收。