[发明专利]一种红黄光的发光二极管外延片及芯片的制备方法

摘要

本发明公开了一种红黄光的发光二极管外延片及芯片的制备方法，属于半导体技术领域。所述发光二极管外延片包括P型衬底、以及依次层叠在P型衬底上的P型缓冲层、P型牺牲层、P型欧姆接触层、P型高掺杂层、P型电流扩展层、P型限制层、多量子阱层、N型限制层、N型电流扩展层、N型高掺杂层，P型衬底为GaAs衬底，P型缓冲层为GaAs层，P型牺牲层为GaInP层，P型欧姆接触层为GaAs层。本发明通过在P型衬底上依次层叠P型缓冲层、P型牺牲层、P型欧姆接触层等，只需要一次外延层转移即可得到P面朝上的红黄光LED芯片，实现与垂直结构的蓝绿光LED芯片的集成，产品良率高、生产成本低。

主权项

1.一种红黄光的发光二极管外延片，其特征在于，所述发光二极管外延片包括P型衬底、以及依次层叠在所述P型衬底上的P型缓冲层、P型牺牲层、P型欧姆接触层、P型高掺杂层、P型电流扩展层、P型限制层、多量子阱层、N型限制层、N型电流扩展层、N型高掺杂层，所述P型衬底为GaAs衬底，所述P型缓冲层为GaAs层，所述P型牺牲层为GaInP层，所述P型欧姆接触层为GaAs层，所述P型高掺杂层和所述P型电流扩展层为AlGaAs层，所述N型电流扩展层和所述N型高掺杂层为AlGaInP层；所述P型欧姆接触层的掺杂杂质为碳元素，所述P型欧姆接触层的掺杂浓度为5*1018～9*1018cm‑3，所述P型欧姆接触层的厚度为80～100nm；所述P型高掺杂层的掺杂杂质为碳元素，所述P型高掺杂层的掺杂浓度为1019～5*1019cm‑3，所述P型高掺杂层的厚度为100～150nm；所述P型电流扩展层的掺杂杂质为镁元素，所述P型电流扩展层的掺杂浓度为2*1018～8*1018cm‑3，所述P型电流扩展层的厚度为900～1200nm。