[发明专利]一种电容式压力传感器及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201610031110.3 申请日: 2016-01-18
公开(公告)号: CN105890827B 公开(公告)日: 2019-05-21
发明(设计)人: 周志健;朱二辉;陈磊;杨力建;邝国华 申请(专利权)人: 广东合微集成电路技术有限公司
主分类号: G01L1/14 分类号: G01L1/14;G01L9/12
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 孟金喆;胡彬
地址: 523808 广东省东莞市松山湖高*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种电容式压力传感器及其制造方法。方法包括:在衬底中形成空腔和位于空腔上方的悬空薄膜,其中,悬空薄膜与衬底间形成第一凹槽,且通过第一凹槽间隙结构连接;进行电隔离处理,形成表面电隔离层;表面电隔离层上形成掩膜层;图形化刻蚀掩膜层和表面电隔离层,在悬空薄膜上方以及衬底上形成第二凹槽;导电层填充并覆盖第二凹槽;刻蚀导电层和掩膜层,形成电隔离沟槽;沉积绝缘层,并刻蚀绝缘层,形成分别并位于悬空薄膜上方以及衬底上方的第三凹槽;用第一电极和第二电极分别填充覆盖悬空薄膜上方以及衬底上方对应的第三凹槽。实现了工艺流程简单且可以避免粘附现象,可靠性高的效果。
搜索关键词: 一种 电容 压力传感器 及其 制造 方法
【主权项】:
1.一种电容式压力传感器的制作方法,其特征在于,包括:在衬底中形成一个空腔和位于所述空腔上方的一个悬空薄膜,其中,所述悬空薄膜与所述衬底间形成第一凹槽,且通过第一凹槽间隙结构连接;进行电隔离处理,在所述悬空薄膜表面和所述衬底表面形成表面电隔离层,并使所述第一凹槽间隙结构绝缘化;形成掩膜层,其中,所述掩膜层将所述第一凹槽密封;图形化刻蚀所述掩膜层和表面电隔离层,分别在所述悬空薄膜上方以及衬底上形成第二凹槽;形成导电层,填充并覆盖所述第二凹槽;图形化刻蚀所述导电层和所述掩膜层,形成电隔离沟槽;沉积绝缘层,并在电隔离沟槽区域内图形化刻蚀所述绝缘层,形成分别并位于所述悬空薄膜上方以及衬底上方的第三凹槽;形成第一电极和第二电极,用所述第一电极和第二电极分别填充覆盖所述悬空薄膜上方以及衬底上方对应的第三凹槽;所述在衬底中形成一个空腔和位于所述空腔上方的一个悬空薄膜,其中,所述悬空薄膜与所述衬底间形成第一凹槽,且通过第一凹槽间隙结构连接包括:在衬底上图形化形成的第二图样,所述第二图样边缘包括多个第二图形,所述第二图样内部包括多个第三图形,所述第二图形尺寸大于所述第三图形尺寸;刻蚀所述第二图样的多个第二图形和第三图形分别形成第五凹槽和第六凹槽;进行无氧退火处理,使所述六凹槽闭合,形成所述空腔和位于所述空腔上方的悬空薄膜,所述第五凹槽收缩形成第一凹槽,且所述悬空薄膜与所述衬底通过第一凹槽间隙结构连接。
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