[发明专利]一种高效电镀填充硅基TSV的方法

摘要

本发明公开一种高效电镀填充硅基TSV的方法，具体为：在晶圆上刻蚀制备TSV；在刻蚀TSV的晶圆上制备绝缘层；在含有绝缘层的晶圆上制备种子层；接着在晶圆双面贴干膜，单面光刻、显影；去除TSV侧壁端口部位的种子层；在图形化的一面粘贴干膜、另一面光刻显影；再次去除另一端口部位的种子层；再次通过光刻、显影；接着双向同步电镀填充铜，使TSV‑Cu与TSV‑pad一体成型无分离界面；去除干膜光刻胶、种子层。本发明将TSV通孔电镀填充工艺转化为两个类盲孔电镀填充工艺，TSV结构结合牢固且工艺更为灵活、方便，大大降低了高深宽比TSV通孔电镀填充难度，同时有效提高电镀速率，使低成本高效制备TSV成为可能。

主权项

1.一种高效电镀填充硅基TSV的方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：1)在晶圆上旋涂正胶或负胶，烘胶，对烘完胶的晶圆进行光刻与显影；2)采用深离子刻蚀技术或激光技术，在经过步骤1)处理的晶圆上刻蚀出TSV；3)采用高温氧化或化学沉积技术，在经过步骤2)处理的晶圆表面进行热氧化或沉积绝缘层；4)在经过步骤3)处理的晶圆表面，制备阻挡层与种子层；5)在经过步骤4处理后的晶圆表面双面粘贴干膜光刻胶，再单面进行光刻、显影；6)将经过步骤5)处理的图形化的晶圆，进行TSV侧壁一端口部位去种子层；7)将经过步骤6)处理的晶圆，在图形化的一面再次粘贴干膜，而另一面进行光刻、显影；8)将经过步骤7)处理后的晶圆进行TSV侧壁另一端口部位去种子层；9)将经过步骤8)处理后的晶圆光刻、显影；10)将经过步骤9)处理后的晶圆，采用电镀技术填充硅通孔，实现TSV‑Cu与TSV‑pad一体成型；11)将步骤10)中制备好的TSV‑Cu与TSV‑pad一体成型的晶圆，用氢氧化钠溶液去干膜并用去离子水清洗，使用氨水和双氧水的混合液去除种子层并用去离子水清洗，得到一体成型的TSV‑Cu与TSV‑pad。