[发明专利]用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供了一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件通过减少p接触层与透明电极之间的应变而呈现出提高的发射效率。通过气相沉积或溅射在p型接触层上形成由IZO(掺杂锌的铟氧化物)制成的透明电极。随后，通过间接电阻加热使p型覆层和p型接触层被p型活化，并且使透明电极结晶。在700℃的温度下在较小的压强下进行所述热处理。接下来，在100℃至350℃的温度下通过在氮气气氛中采用频率为5.8GHz的微波照射进行微波加热达三分钟至三十分钟。这减少了透明电极的应变，并且提高了透明电极的导电性或半透明性。

主权项

1.一种用于制造半导体器件的方法，所述半导体器件具有在第III族氮化物半导体层上并且与所述第III族氮化物半导体层接触的透明电极，所述方法包括：在所述第III族氮化物半导体层上形成由掺杂锌的铟氧化物IZO构成的所述透明电极；在形成所述透明电极之后，在标准大气压或减小的压强下的含氮气氛中通过间接电阻加热和红外线加热中的至少之一以第一温度来进行热处理，以使所述透明电极结晶；在所述热处理之后，通过在含氮气氛中以第二温度进行微波加热来减少所述半导体层与所述透明电极之间的应变；以及在所述微波加热之后，在含氧气氛下通过间接电阻加热和红外线加热中的至少之一以第三温度来进行另一热处理，以使所述透明电极进一步结晶，其中所述第一温度在600℃至800℃的范围内，并且其中所述微波加热在低于所述第一温度的且在100℃至350℃的范围内的第二温度下进行。