[发明专利]一种可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器及应用在审
| 申请号： | 201610028127.3 | 申请日： | 2016-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN105679363A | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 赵婕;程抱昌 | 申请（专利权）人： | 南昌大学 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人： | 施秀瑾 |
| 地址： | 330031 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 一种可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器，包括绝缘衬底、单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线、电极、导线、封装材料。单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线放置在绝缘衬底上，其两端分别焊接电极，电极分别连接导线；并用封装材料封装在绝缘衬底上，将导线与函数功能发生器连接。本发明利用单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线中的陷阱能级，实现所述的记忆存储器对不同温度的识别与存储。本发明制备工艺简便、体积小、轻巧便携，具有较高的存储密度、良好的存储信息稳定性及重复读写性能，可循环利用，适用于工业排热管道、供暖管道、地热等需要进行温度传感及探测的领域。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 存储 温度 信号 非易失性多 比特 纳米 记忆 存储器 应用 | ||
【主权项】：
一种可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器，其特征是包括绝缘衬底（101）、单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线（102）、电极一（103）、电极二（104）、导线一（105）、导线二（106）、封装材料（107）。单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线（102）放置在绝缘衬底（101）上，单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线（102）两端分别焊接电极一（103）和电极二（104），两端电极分别连接导线一（105）和导线二（106）；封装材料（107）将整个单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线（102）、电极一（103）和电极二（104）封装在绝缘衬底（101）上。
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