[发明专利]一种可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器及应用

权利要求书

1.一种可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器，其特征是包括绝缘衬底（101）、单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线（102）、电极一（103）、电极二（104）、导线一（105）、导线二（106）、封装材料（107）。单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线（102）放置在绝缘衬底（101）上，单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线（102）两端分别焊接电极一（103）和电极二（104），两端电极分别连接导线一（105）和导线二（106）；封装材料（107）将整个单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线（102）、电极一（103）和电极二（104）封装在绝缘衬底（101）上。

2.根据权利要求1所述的可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器，其特征是所述的单根钾元素和氯元素共掺杂的ZnO一维微/纳米线为ZnO晶格中含有钾元素和氯元素杂质缺陷的一维微/纳米线。

3.根据权利要求1所述的可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器，其特征是所述绝缘基底为氧化铝陶瓷基底、氮化铝陶瓷基底或氮化硅陶瓷基底。

4.根据权利要求1所述的可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器，其特征是所述的金属电极为铝、银或铂。

5.根据权利要求1所述的可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器，其特征是所述的封装材料为环氧树脂、氨基甲酸乙酯、聚二甲基硅氧烷或聚甲基丙烯酸甲酯。

6.权利要求1所述的可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器的信息写入方法，其特是征将所述的存储器置于30-300^○C以内任一温度。

7.权利要求1所述的可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器的信息存储方法，其特征是将所述的存储器置于30-300^○C以内任一温度，然后放置室温环境中。

8.权利要求1所述的可存储温度信号的非易失性多比特微/纳米记忆存储器的信息擦除方法，其特征是将所述的存储器置于30-300^○C以内任一温度，然后放置室温环境中，再对所述的存储器施加10V的直流电压。