[发明专利]用于AMOLED的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

摘要

本发明提供一种用于AMOLED的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，所述薄膜晶体管阵列基板包括：一基板；数个薄膜晶体管像素单元，设置在所述基板上，每一薄膜晶体管像素单元包括至少一驱动薄膜晶体管及至少一开关薄膜晶体管；一第一电极图案层，设置在所述基板上；一绝缘层，设置于所述基板上，并覆盖所述驱动薄膜晶体管及开关薄膜晶体管的栅极及所述第一电极图案层；以及一第二电极图案层，设置在所述绝缘层上，并与所述第一电极图案层部分重叠，其中所述绝缘层在所述重叠处具有较大的厚度，在非重叠处具有较小的厚度。

主权项

1.一种用于AMOLED的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括：一基板；数个薄膜晶体管像素单元，设置在所述基板上，每一薄膜晶体管像素单元包括至少一驱动薄膜晶体管及至少一开关薄膜晶体管；一第一电极图案层，设置在所述基板上；一绝缘层，设置于所述基板上，并覆盖所述驱动薄膜晶体管及开关薄膜晶体管的栅极及所述第一电极图案层；以及一第二电极图案层，设置在所述绝缘层上，并与所述第一电极图案层部分重叠，其中所述绝缘层经过图案化及局部薄化处理；其中所述第一电极图案层构成一储存电容的下电极、数个扫描线、所述驱动薄膜晶体管的栅极和所述开关薄膜晶体管的栅极；所述第二电极图案层构成所述储存电容的上电极、数个数据线、所述驱动薄膜晶体管的源极和漏极、所述开关薄膜晶体管的源极和漏极；其中所述绝缘层在扫描线与数据线的垂直跨线处具有较大的厚度；所述绝缘层在对应所述驱动薄膜晶体管的栅极位置具有较大的厚度，在对应所述开关薄膜晶体管的栅极位置具有较小的厚度。