[发明专利]半导体器件的制造方法及衬底处理装置有效
| 申请号： | 201610022377.6 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105789028B | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 桥本良知;广濑义朗;松冈树;原田胜吉 | 申请（专利权）人： | 株式会社国际电气 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01J37/32 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 杨宏军;李文屿 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体器件的制造方法及衬底处理装置。可提高形成于衬底上的氮化膜的组成的控制性、膜质等。具有下述工序：对在表面形成有含氧膜的衬底供给第一原料和第一氮化剂、在含氧膜上形成初始膜的工序；对初始膜进行等离子体氮化，由此将初始膜改质为第一氮化膜的工序；和对衬底供给第二原料和第二氮化剂，在第一氮化膜上形成第二氮化膜的工序。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 衬底 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，其具有下述工序：对在表面形成有含氧膜的衬底供给第一原料和第一氮化剂、在所述含氧膜上形成初始膜的工序，其中，所述初始膜为包含氧的氮化膜；对所述初始膜进行等离子体氮化，由此将所述初始膜改质为第一氮化膜的工序，所述第一氮化膜为不含氧的膜；和对所述衬底供给第二原料和第二氮化剂，在所述第一氮化膜上形成第二氮化膜的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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