[发明专利]NMOS晶体管及其形成方法

摘要

一种NMOS晶体管及其形成方法，其中形成方法包括：提供半导体衬底，半导体衬底内形成有若干浅沟槽隔离结构，相邻浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底为有源区；在有源区表面上形成栅极结构；在所述栅极结构的侧壁上形成第一侧墙；刻蚀浅沟槽隔离结构和第一侧墙之间的半导体衬底形成凹槽，凹槽的深度小于浅沟槽隔离结构的深度，所述凹槽暴露出浅沟槽隔离结构的部分侧壁；对凹槽底部的半导体衬底进行非晶化处理，在凹槽底部的半导体衬底中形成非晶化区；非晶化处理后，通过外延工艺，在凹槽中形成半导体材料层，半导体材料层中掺杂杂质离子。本发明的方法可以释放或减小浅沟槽隔离结构对沟道区域的压应力，提高了NMOS晶体管的性能。

主权项

1.一种NMOS晶体管的形成方法，其特征在于，包括：/n提供半导体衬底，所述半导体衬底内形成有若干浅沟槽隔离结构，相邻浅沟槽隔离结构之间的半导体衬底为有源区；/n在有源区表面上形成栅极结构；/n在所述栅极结构的侧壁上形成第一侧墙；/n以所述栅极结构和第一侧墙为掩膜，刻蚀浅沟槽隔离结构和第一侧墙之间的半导体衬底形成凹槽，凹槽的深度小于浅沟槽隔离结构的深度，所述凹槽暴露出浅沟槽隔离结构的部分侧壁；/n对凹槽底部的半导体衬底进行非晶化处理，在凹槽底部的半导体衬底中形成非晶化区，所述非晶化区位于后续形成的深掺杂源漏区的内部，所述非晶化区与浅沟槽隔离结构的部分侧壁接触；/n非晶化处理后，通过外延工艺，在凹槽中形成半导体材料层，半导体材料层中掺杂杂质离子；/n在形成半导体材料层之后，进行退火工艺，使得半导体材料层中杂质离子扩散形成深掺杂源漏区。/n