[发明专利]带有增益自举功能的跨阻放大器

摘要

本发明公开了带增益自举功能的跨阻放大器，其特征在于，包括误差放大器A0、NMOS晶体管MN1、NMOS晶体管MN2、NMOS晶体管MN3、NMOS晶体管MN4、NMOS晶体管MN5、NMOS晶体管MN6、NMOS晶体管MN7、NMOS晶体管MN8、NMOS晶体管MN9、NMOS晶体管MN10、NMOS晶体管MN11、电流源I0、电流源I1、电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C0。解决常用的跨阻放大器输入管的栅漏电容的米勒等效电容对减小跨阻放大器的带宽问题比较严重的问题。

主权项

1.带增益自举功能的跨阻放大器，其特征在于，包括误差放大器A0、NMOS晶体管MN1、NMOS晶体管MN2、NMOS晶体管MN3、NMOS晶体管MN4、NMOS晶体管MN5、NMOS晶体管MN6、NMOS晶体管MN7、NMOS晶体管MN8、NMOS晶体管MN9、NMOS晶体管MN10、NMOS晶体管MN11、电流源I0、电流源I1、电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C0；所述NMOS晶体管MN3的漏极、NMOS晶体管MN4的漏极、NMOS晶体管MN5的漏极和电阻R1的一端同时连接电源VDD；所述NMOS晶体管MN3的栅极同时连接电阻R1的另一端、NMOS晶体管MN2的漏极和误差放大器A0的同相输入端；所述NMOS晶体管MN3的源极同时连接电阻R0的一端、电流源I0的正端和跨阻放大器的输出端VOUT，电流源I0的负端连接GND；所述NMOS晶体管MN4的栅极同时连接NMOS晶体管MN5的栅极和误差放大器A0的输出端VO，NMOS晶体管MN4的源极连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端同时连接误差放大器A0的反向输入端和NMOS晶体管MN6的漏极；所述NMOS晶体管MN6的栅极同时连接NMOS晶体管MN10的栅极和NMOS晶体管MN7的栅极，NMOS晶体管MN6的源极连接NMOS晶体管MN8的漏极；所述NMOS晶体管MN8的栅极同时连接NMOS晶体管MN11的栅极、NMOS晶体管MN9的栅极和电容C0的一端，NMOS晶体管MN8的漏极连接GND；所述NMOS晶体管MN10的漏极同时连接电流源I1和NMOS晶体管MN10的栅极，NMOS晶体管MN10的源极同时连接NMOS晶体管MN11的漏极和栅极，NMOS晶体管MN11的源极连接GND；所述NMOS晶体管MN5的源极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端同时连接NMOS晶体管MN7的漏极和NMOS晶体管MN2的栅极；所述NMOS晶体管MN7的源极连接NMOS晶体管MN9的漏极，NMOS晶体管MN9的源极连接GND；所述NMOS晶体管MN2的源极同时连接电容C0的一端和NMOS晶体管MN1的漏极；所述NMOS晶体管MN1的栅极同时连接电阻R0的另一端和TIA跨阻放大器的输入端PINA，NMOS晶体管MN1的源极连接GND。