[发明专利]带有增益自举功能的跨阻放大器

权利要求书

1.带增益自举功能的跨阻放大器，其特征在于，包括误差放大器A0、NMOS晶体管MN1、NMOS晶体管MN2、NMOS晶体管MN3、NMOS晶体管MN4、NMOS晶体管MN5、NMOS晶体管MN6、NMOS晶体管MN7、NMOS晶体管MN8、NMOS晶体管MN9、NMOS晶体管MN10、NMOS晶体管MN11、电流源I0、电流源I1、电阻R0、电阻R1、电阻R2、电阻R3、电容C0；

所述NMOS晶体管MN3的漏极、NMOS晶体管MN4的漏极、NMOS晶体管MN5的漏极和电阻R1的一端同时连接电源VDD；所述NMOS晶体管MN3的栅极同时连接电阻R1的另一端、NMOS晶体管MN2的漏极和误差放大器A0的同相输入端；所述NMOS晶体管MN3的源极同时连接电阻R0的一端、电流源I0的正端和跨阻放大器的输出端VOUT，电流源I0的负端连接GND；

所述NMOS晶体管MN4的栅极同时连接NMOS晶体管MN5的栅极和误差放大器A0的输出端VO，NMOS晶体管MN4的源极连接电阻R2的一端，电阻R2的另一端同时连接误差放大器A0的反向输入端和NMOS晶体管MN6的漏极；

所述NMOS晶体管MN6的栅极同时连接NMOS晶体管MN10的栅极和NMOS晶体管MN7的栅极，NMOS晶体管MN6的源极连接NMOS晶体管MN8的漏极；

所述NMOS晶体管MN8的栅极同时连接NMOS晶体管MN11的栅极、NMOS晶体管MN9的栅极和电容C0的一端，NMOS晶体管MN8的漏极连接GND；

所述NMOS晶体管MN10的漏极同时连接电流源I1和NMOS晶体管MN10的栅极，NMOS晶体管MN10的源极同时连接NMOS晶体管MN11的漏极和栅极，NMOS晶体管MN11的源极连接GND；

所述NMOS晶体管MN5的源极连接电阻R3的一端，电阻R3的另一端同时连接NMOS晶体管MN7的漏极和NMOS晶体管MN2的栅极；

所述NMOS晶体管MN7的源极连接NMOS晶体管MN9的漏极，NMOS晶体管MN9的源极连接GND；

所述NMOS晶体管MN2的源极同时连接电容C0的一端和NMOS晶体管MN1的漏极；

所述NMOS晶体管MN1的栅极同时连接电阻R0的另一端和TIA跨阻放大器的输入端PINA，NMOS晶体管MN1的源极连接GND。