[发明专利]一种MEMS器件及其制造方法和电子装置

摘要

本发明提供一种MEMS器件及其制造方法和电子装置，涉及半导体技术领域。所述方法包括：提供第一衬底和第二衬底，形成覆盖第二衬底的正面以及所述凹槽的底部和侧壁的牺牲材料层，并将第一衬底的第一表面和所述第二衬底的正面相键合；对第一衬底进行减薄处理；图案化第一衬底，以形成上电极；去除部分牺牲材料层，使所牺牲材料层的侧壁与上电极的侧壁对齐，并在牺牲材料层暴露的侧壁上形成保护层；对第二衬底的背面进行刻蚀，以形成下电极以及空腔；刻蚀去除部分牺牲材料层，以使上电极悬浮，位于上电极与第二衬底之间剩余的牺牲材料层作为锚点。根据本发明的方法，避免在湿法刻蚀过程对牺牲材料层造成的过蚀刻，提高MEMS器件的良率和性能。

主权项

1.一种MEMS器件的制造方法，其特征在于，包括：提供第一衬底和第二衬底，图案化所述第二衬底的正面形成若干凹槽，以及形成覆盖所述第二衬底的正面以及所述凹槽的底部和侧壁的牺牲材料层，并将所述第一衬底的第一表面和所述第二衬底的正面相键合；对所述第一衬底的与所述第一表面相对的第二表面进行减薄处理；图案化所述第一衬底，以形成上电极和贯穿所述上电极暴露部分所述牺牲材料层的若干释放孔；去除部分所述牺牲材料层，使所述牺牲材料层的侧壁与所述上电极的侧壁对齐，并在所述牺牲材料层暴露的侧壁上形成保护层；翻转所述第二衬底使其背面朝上，对与所述上电极位置对应的所述第二衬底的背面进行刻蚀，直到暴露部分所述牺牲材料层，以形成下电极以及空腔，其中，所述刻蚀未穿透所述第二衬底；刻蚀去除部分所述牺牲材料层，以使所述上电极悬浮，位于所述上电极与所述第二衬底之间剩余的所述牺牲材料层作为锚点。