[发明专利]一种绝缘衬底上生长石墨烯的方法

摘要

本发明提供了一种绝缘衬底上生长石墨烯的方法，涉及微纳米材料制备领域。本发明通过在绝缘衬底上依靠微颗粒生长出石墨烯，具体步骤包括：选取绝缘衬底并对其进行清洗；在清洗后的绝缘衬底上分散摆放微颗粒；把摆放微颗粒的绝缘衬底放置在热灯丝化学气相沉积系统中，生长制备出石墨烯；去除生长制备出石墨烯的绝缘衬底上的微颗粒，以获得生长在绝缘衬底上的石墨烯。本发明的绝缘衬底上生长石墨烯的方法，通过在绝缘衬底上依靠微颗粒可以生长出高质量的、图形化的石墨烯。本发明的生长石墨烯的方法，工艺难度较低、耗时较少、无需掩模板和光刻即可直接在绝缘衬底上生长出高质量的、图形化的石墨烯，为石墨烯器件的应用提供了有效的方法与途径。

主权项

一种绝缘衬底上生长石墨烯的方法，通过在绝缘衬底上依靠微颗粒生长出石墨烯，具体步骤包括：步骤1、选取绝缘衬底并对所述绝缘衬底进行清洗；步骤2、在清洗后的绝缘衬底上分散摆放微颗粒；步骤3、把摆放微颗粒的绝缘衬底放置在热灯丝化学气相沉积系统中，生长制备出石墨烯；步骤4、去除生长制备出石墨烯的绝缘衬底上的微颗粒，以获得生长在所述绝缘衬底与所述微颗粒接触处的石墨烯。