[发明专利]包括鳍结构的半导体器件及其制造方法

摘要

制造半导体FinFET的方法包括在衬底上方形成鳍结构。鳍结构包括部分从隔离绝缘层暴露的上层。在部分鳍结构上方形成伪栅极结构。伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层。形成源极和漏极。去除伪栅电极以使由伪栅极介电层覆盖的上层暴露。去除鳍结构的上层以产生由伪栅极介电层形成的凹槽。部分上层保留在凹槽的底部处。在凹槽中形成沟道层。去除伪栅极介电层。在沟道层上方形成栅极结构。本发明的实施例还涉及包括鳍结构的半导体器件及其制造方法。

主权项

一种制造包括FinFET的半导体器件的方法，所述方法包括：在衬底上方形成鳍结构，所述鳍结构在第一方向上延伸并且包括上层，部分所述上层从隔离绝缘层暴露；在部分所述鳍结构上方形成伪栅极结构，所述伪栅极结构包括伪栅电极层和伪栅极介电层，所述伪栅极结构在垂直于所述第一方向的第二方向上延伸；形成源极和漏极；在所述伪栅极结构、所述鳍结构和所述隔离绝缘层上方形成界面绝缘层；去除所述伪栅电极层以使由所述伪栅极介电层覆盖的所述上层暴露；使所述上层凹进以产生由所述伪栅极介电层形成的凹槽，部分所述上层保留在所述凹槽的底部处；在所述凹槽中形成沟道层；去除所述伪栅极介电层；以及在所述沟道层上方形成栅极结构。