[发明专利]FFS型阵列基板及其制作方法

摘要

本发明提供一种FFS型阵列基板及其制作方法，在底层电极(40)上设置保护层(190)，在保护层(190)上设置顶层电极(50)，在保护层(190)对应于数据线(330)的区域设有贯穿所述保护层(190)的凹槽(191)，所述顶层电极(50)包括相互绝缘间隔的第一图案化顶层电极(520)和第二图案化顶层电极(530)，所述第一图案化顶层电极(520)作为像素电极，所述第二图案化顶层电极(530)层叠于被所述凹槽(191)暴露出的部分底层电极(40)上，所述底层电极(40)与第二图案化顶层电极(530)共同构成公共电极，使得公共电极包括两层电极，增强了公共电极的导电性，从而能够减小公共电极的电阻，使公共电极的电压分布更均匀，并能够降低单层电极的膜厚。

主权项

1.一种FFS型阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(100)、设于所述衬底基板(100)上的多条沿第一方向间隔设置的栅极扫描线(220)、多条沿与第一方向垂直的第二方向间隔设置的数据线(330)、多个与所述栅极扫描线(220)和数据线(330)电性连接的呈阵列式排布的薄膜晶体管(10)、覆盖于所述薄膜晶体管(10)上的平坦层(180)、设于所述平坦层(180)上的底层电极(40)、设于所述底层电极(40)上的保护层(190)、以及设于所述保护层(190)上的顶层电极(50)；一过孔(510)贯通所述保护层(190)、底层电极(40)和平坦层(180)；所述底层电极(40)在除对应所述过孔(510)的区域以外为一整块的平面电极；所述保护层(190)在对应于所述数据线(330)的区域设有贯穿所述保护层(190)的凹槽(191)，所述凹槽(191)暴露出位于其下方的部分底层电极(40)；所述顶层电极(50)包括相互绝缘间隔的第一图案化顶层电极(520)和第二图案化顶层电极(530)；所述第一图案化顶层电极(520)作为像素电极通过所述过孔(510)电性连接所述薄膜晶体管(10)；所述第二图案化顶层电极(530)设于所述凹槽(191)内，层叠于被所述凹槽(191)暴露出的部分底层电极(40)上，所述底层电极(40)与第二图案化顶层电极(530)共同构成公共电极；所述底层电极(40)的厚度为