[发明专利]用于生产双面太阳能电池的方法和双面太阳能电池在审
申请号: | 201580085617.0 | 申请日: | 2015-12-28 |
公开(公告)号: | CN108521830A | 公开(公告)日: | 2018-09-11 |
发明(设计)人: | 皮尔明·普赖斯;弗洛里恩·巴克霍尔兹 | 申请(专利权)人: | 国际太阳能研究中心康斯坦茨协会 |
主分类号: | H01L31/0236 | 分类号: | H01L31/0236;H01L31/068 |
代理公司: | 上海和跃知识产权代理事务所(普通合伙) 31239 | 代理人: | 尹洪波 |
地址: | 德国康*** | 国省代码: | 德国;DE |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种用于生产双面太阳能电池(10)的方法,其包括下列步骤:对所述晶片的两侧施加酸性处理以去除锯切损伤;用介电层涂覆所述第一侧;通过碱性制绒来制备所述晶片的第二侧(10a);在第二侧形成第二掺杂区域;用介电层涂覆第二侧;且向所述双面太阳能电池提供触点,其中这些步骤按上述顺序执行。一种双面太阳能电池(10),包括基极(1);位于基极(1)的一侧上的p型或n型的第一强掺杂区域(3),其布置在酸性蚀刻表面(7)上;位于基极(1)的反侧上的第二强掺杂的n型或p型区域(2),其设置在随机的金字塔制绒表面上且具有随机的金字塔结构化表面(6);以及位于第一和第二强掺杂区域上的金属触点(5,4)。 | ||
搜索关键词: | 双面太阳能电池 掺杂区域 介电层 晶片 涂覆 金字塔结构 金属触点 顺序执行 酸性处理 酸性蚀刻 制绒表面 掺杂的 触点 锯切 制绒 去除 制备 金字塔 损伤 施加 生产 | ||
【主权项】:
1.一种用于生产双面太阳能电池(10)的方法,其包括下列步骤:a)提供p掺杂或n掺杂晶片(100);b)对所述晶片实施酸性处理以去除锯切损伤和污染(200);c)在所述晶片的第一侧(10b)上形成第一掺杂区域,或形成含掺杂剂的层,在所述晶片的第一侧(10b)上稍后的高温步骤(300)中用作源极;d)在所述晶片的所述第一侧(10b)上涂敷介电层或介电层的叠层(400);e)通过碱性制绒来制备所述晶片的第二侧(10a)(500);f)在所述晶片的所述第二侧(10a)形成第二掺杂区域(600);g)在所述晶片的所述第二侧(10a)上涂敷介电层或介电层叠层(700);以及h)通过金属化为所述双面太阳能电池(10)提供触点(800);其中所述步骤a)至h)是按上述顺序执行的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于国际太阳能研究中心康斯坦茨协会,未经国际太阳能研究中心康斯坦茨协会许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580085617.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的