[发明专利]在两侧上具有金属的功率门有效
| 申请号： | 201580082487.5 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN107924945B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | D·W·纳尔逊 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;韩宏 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种装置，包括：电路结构，电路结构包括器件层，器件层包括多个晶体管器件，每个晶体管器件包括由栅电极限定的第一侧和相对的第二侧；以及布置在结构的第二侧上的门控电源栅格，其中，多个晶体管器件中的至少一个的漏极耦合到门控电源栅格。一种方法，包括：将电源从封装衬底提供到电路结构的器件层中的功率门晶体管，晶体管耦合到可操作用于从功率门晶体管接收门控电源的电路；以及使用在器件层的下侧上的栅格来将门控电源从功率门晶体管分配到电路。 | ||
| 搜索关键词： | 两侧 具有 金属 功率 | ||
【主权项】：
一种装置，包括：电路结构，所述电路结构包括器件层，所述器件层包括多个晶体管器件，每个晶体管器件包括由栅电极限定的第一侧和相对的第二侧；以及门控电源栅格，所述门控电源栅格布置在所述结构的所述第二侧上，其中，所述多个晶体管器件中的至少一个晶体管器件的漏极耦合到所述门控电源栅格。
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