[发明专利]在衬底上的氮化镓(GaN)晶体管结构有效
| 申请号： | 201580080327.7 | 申请日： | 2015-06-26 |
| 公开（公告）号： | CN107660313B | 公开（公告）日： | 2022-09-13 |
| 发明（设计）人： | H·W·田;S·达斯古普塔;S·K·加德纳;M·拉多萨夫列维奇;S·H·宋;R·S·周 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/778 | 分类号： | H01L29/778;H01L29/78 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 陈松涛;王英 |
| 地址： | 美国加*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了用于氮化镓(GaN)氧化物隔离和在衬底上形成GaN晶体管结构的技术。在一些情况下，GaN晶体管结构可以用于在体硅结构上的高电压GaN前端射频(RF)开关的片上系统(SoC)集成。技术可以包括在衬底中形成多个鳍状物，将GaN层沉积在鳍状物上，在GaN层下方的间隙中氧化每个鳍状物的至少一部分，以及在GaN层上和/或从GaN层形成一个或多个晶体管。在一些情况下，GaN层是多个GaN岛，每个岛对应于给定鳍状物。在一些情况下，技术可以用于形成具有相对小的形状因子、低接通电阻和低断开状态泄漏的各种非平面隔离的GaN晶体管架构。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 氮化 gan 晶体管 结构 | ||
【主权项】：
一种集成电路，包括：衬底，多个鳍状物源自于所述衬底，其中，每个鳍状物的至少一部分被氧化；位于所述鳍状物上和所述鳍状物的氧化部分上方的氮化镓(GaN)层；以及具有沟道的晶体管，所述晶体管沟道被包括在所述GaN层中。
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