[发明专利]测量非对称性的方法、检查设备、光刻系统及器件制造方法

摘要

在暗场成像模式中使用散射仪来测量诸如重叠等非对称性相关参数。使用相同的光学路径进行小光栅目标的测量，其中目标处于两个定向以获得对+1和‑1衍射阶的单独测量。以此方式，避免了强度标度差异(工具非对称性)。然而，无法避免在光学系统中由杂散光(虚像)引起的附加强度缺陷。附加强度问题在很大程度上取决于0阶衍射与1阶衍射之间的比率，并且因此在很大程度上反向取决于晶片(工艺)。对具有偏差(+d、‑d)的几个代表性目标光栅进行校准测量(CM1至CM4)。不仅使用不同的晶片旋转(RZ＝0、π)，而且还使用互补孔径(13N、13S)来进行所述校准测量。计算并且应用校正(δ、G)，以计算经校正的非对称性A’，以便减小由杂散光引起的误差。

主权项

一种测量通过光刻工艺形成在衬底上的周期性结构的非对称性的方法，所述方法包括以下步骤：第一测量步骤，所述第一测量步骤包括在利用辐射对所述结构进行照射时，形成并且检测所述周期性结构的第一图像，所述第一图像是使用经衍射的辐射的第一选择部分形成的；第二测量步骤，所述第二测量步骤包括在利用辐射对所述结构进行照射时，形成并且检测所述周期性结构的第二图像，所述第二图像是使用所述经衍射的辐射的第二选择部分形成的，所述第二选择部分在所述周期性结构的衍射光谱中与所述第一部分对称地相对；以及基于从检测到的所述第一图像和所述第二图像导出的强度值来计算所述周期性结构中的非对称性测量，其中，在计算所述非对称性测量的步骤中，包括用于减小在所述第一测量步骤和所述第二测量步骤中产生的杂散辐射的影响的校正。