[发明专利]用于物理气相沉积的电介质沉积的设备有效
| 申请号： | 201580066460.7 | 申请日： | 2015-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN107004580B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | 基思·A·米勒;清·X·源;伊利亚·拉维特斯凯;兰迪·施米丁;普拉沙斯·科斯努 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司 |
| 主分类号： | H01L21/203 | 分类号： | H01L21/203 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 在此提供一种用于电介质材料的物理气相沉积的设备。在一些实施方式中，物理气相沉积腔室的腔室盖包括：内部磁控管组件，所述内部磁控管组被耦接至内部靶材组件；和外部磁铁组件，所述外部磁铁组件耦接至外部靶材组件，其中内部磁控管组件和内部靶材组件与外部磁铁组件和外部靶材组件电隔离。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 物理 沉积 电介质 设备 | ||
【主权项】：
一种物理气相沉积腔室的腔室盖，所述腔室盖包括：内部磁控管组件，所述内部磁控管组件被耦接至内部靶材组件；和外部磁铁组件，所述外部磁铁组件被耦接至外部靶材组件，其中所述内部磁控管组件和所述内部靶材组件与所述外部磁铁组件和所述外部靶材组件电隔离。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
