[发明专利]碳化硅基板的蚀刻方法及收容容器有效
| 申请号： | 201580062705.9 | 申请日： | 2015-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN107004592B | 公开（公告）日： | 2020-12-08 |
| 发明（设计）人： | 鸟见聪;篠原正人;寺元阳次;矢吹纪人;野上晓;金子忠昭;芦田晃嗣;久津间保德 | 申请（专利权）人： | 东洋炭素株式会社;学校法人关西学院 |
| 主分类号： | H01L21/302 | 分类号： | H01L21/302;C30B29/36;C30B33/12 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供一种根据收容容器的组成而控制碳化硅基板的蚀刻速度的方法。本发明的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于坩埚的状态下且在Si蒸汽压下进行加热，而对碳化硅基板进行蚀刻。坩埚被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，且在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层。并且，根据硅化钽层的组成的差异，控制碳化硅基板的蚀刻速度。 | ||
| 搜索关键词： | 碳化硅 蚀刻 方法 收容 容器 | ||
【主权项】：
一种碳化硅基板的蚀刻方法，通过在将碳化硅基板收容于收容容器的状态下且在Si蒸汽压下加热该碳化硅基板，而对该碳化硅基板进行蚀刻，该方法的特徵在于：所述收容容器被构成为包含钽金属，并在比该钽金属靠内部空间侧设置有碳化钽层，在比该碳化钽层更靠内部空间侧设置有硅化钽层，且根据所述硅化钽层的组成的差异，控制所述碳化硅基板的蚀刻速度。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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