[发明专利]基板处理装置以及基板处理方法在审
| 申请号： | 201580060810.9 | 申请日： | 2015-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN107004581A | 公开（公告）日： | 2017-08-01 |
| 发明（设计）人： | 藤仓序章;今野泰一郎;野中岳宏;沼田隆之 | 申请（专利权）人： | 住友化学株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;C23C16/44;C30B25/12 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司11021 | 代理人： | 齐秀凤 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种抑制在结束了给定的基板的处理之后进行并未打算进行的基板的处理的技术。本发明具备基板支承部，在处理室内对基板进行支承；处理气体供给部，对处理室内供给；以及移动机构，在处理室内使基板支承部在第一位置与第二位置之间移动，第一位置被喷射从处理气体供给部供给的处理气体，第二位置不被喷射从处理气体供给部供给的处理气体。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 以及 方法 | ||
【主权项】：
一种基板处理装置，具备：处理室，对基板进行处理；基板支承部，在所述处理室内对所述基板进行支承；处理气体供给部，对所述处理室内供给；以及移动机构，在所述处理室内使所述基板支承部在第一位置与第二位置之间移动，所述第一位置被喷射从所述处理气体供给部供给的处理气体，所述第二位置不被喷射从所述处理气体供给部供给的处理气体。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
