[发明专利]氢化P沟道金属氧化物半导体薄膜晶体管有效
| 申请号： | 201580060384.9 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN107078166B | 公开（公告）日： | 2020-08-18 |
| 发明（设计）人： | 野村见次 | 申请（专利权）人： | 高通股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勋 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供显示良好薄膜晶体管TFT特性的p型金属氧化物半导体材料。还提供包含包括p型氧化物半导体的沟道的TFT，以及制造方法。可使p型金属氧化物膜氢化，使得其具有至少10 |
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| 搜索关键词： | 氢化 沟道 金属 氧化物 半导体 薄膜晶体管 | ||
【主权项】：
一种方法，其包括：提供衬底；在所述衬底上形成p型金属氧化物半导体层；以及在含氢气H2气氛中使所述p型金属氧化物半导体层退火，从而形成氢化的p型金属氧化物半导体层。
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