[发明专利]用于产生光电子部件的方法以及光电子部件在审
| 申请号： | 201580060308.8 | 申请日： | 2015-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN107078185A | 公开（公告）日： | 2017-08-18 |
| 发明（设计）人： | W.明希;F.辛格;T.施瓦茨;J.莫斯布格尔;S.伊莱克 | 申请（专利权）人： | 奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/56;H01L33/58 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司72001 | 代理人： | 申屠伟进,杜荔南 |
| 地址： | 德国雷*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种用于产生光电子部件的方法包括以下步骤将光电子部件嵌入在模制主体中，使得光电子部件的上面至少部分暴露在模制主体的上面上；在光电子部件的顶面和模制主体的顶面之上布置牺牲层并使其图案化；在牺牲层之上布置光学材料的层并使其图案化；以及移除牺牲层。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 产生 光电子 部件 方法 以及 | ||
【主权项】：
一种用于产生光电子部件（10、20、30）的方法，包括以下步骤：‑以使得光电子部件部分（100）的上侧（101）至少部分暴露在模制主体（200）的上侧（201）上这样的方式将光电子部件部分（100）嵌入到模制主体（200）中；‑在光电子部件部分（100）的上侧（101）和模制主体（200）的上侧（201）之上布置牺牲层（300）并使其结构化；‑在牺牲层（300）之上布置光学材料的层（400）并使其结构化；‑移除牺牲层（300）。
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