[发明专利]用于产生光电子部件的方法以及光电子部件

权利要求书

1.一种用于产生光电子部件（10、20、30）的方法，

包括以下步骤：

-以使得光电子部件部分（100）的上侧（101）至少部分暴露在模制主体（200）的上侧（201）上这样的方式将光电子部件部分（100）嵌入到模制主体（200）中；

-在光电子部件部分（100）的上侧（101）和模制主体（200）的上侧（201）之上布置牺牲层（300）并使其结构化；

-在牺牲层（300）之上布置光学材料的层（400）并使其结构化；

-移除牺牲层（300）。

2.如在权利要求1中要求保护的所述方法，

其中该光电子部件部分（100）包括光电子半导体芯片（110），特别地发光二极管芯片。

3.如在前述权利要求中的任一项中要求保护的所述方法，

其中该光电子部件部分（100）以使得光电子部件部分（100）的下侧（102）至少部分暴露在模制主体（200）的下侧（202）上这样的方式被嵌入到模制主体（200）中。

4.如在权利要求3中要求保护的所述方法，

其中该光电子部件部分（100）具有在其下侧（102）上的电接触件（140、150）。

5.如在权利要求3和4中的任一项中要求保护的所述方法，

其中该光电子部件部分（100）到模制主体（200）中的嵌入以使得光电子部件部分（100）的上侧（101）和下侧（102）与模制主体（200）的上侧（201）和下侧（202）齐平这样的方式来实现。

6.如在前述权利要求中的任一项中要求保护的所述方法，

其中该模制主体（200）是借助于模塑方法形成的，

其中该光电子部件部分（100）在模制主体（200）的形成期间被嵌入到模制主体（200）中。

7.如在前述权利要求中的任一项中要求保护的所述方法，其中该牺牲层（300）包括光致抗蚀剂。

8.如在前述权利要求中的任一项中要求保护的所述方法，

其中经由光刻方法，特别地经由掩模、接触、灰度或激光干涉光刻，经由直接照射或经由压印方法来实现牺牲层（300）的结构化。

9.如在前述权利要求中的任一项中要求保护的所述方法，

其中通过溶解牺牲层（300）来实现牺牲层（300）的移除。

10.如在权利要求9中要求保护的所述方法，

其中借助于溶剂或蚀刻溶液来实现牺牲层（300）的溶解。

11.如在前述权利要求中的任一项中要求保护的所述方法，其中该光学材料（400）包括塑料。

12.如在前述权利要求中的任一项中要求保护的所述方法，

其中经由光刻方法或经由压印方法来实现光学材料（400）的结构化。

13.如在前述权利要求中的任一项中要求保护的所述方法，

其中将多个光电子部件部分（100）一起嵌入到模制主体（200）中，

其中在每个光电子部件部分（100）之上布置牺牲层（300）的区段并使其结构化，

其中在牺牲层（300）的每个区段之上布置光学材料（400）的区段并使其结构化，

其中通过划切模制主体（200）来使光电子部件（10、20、30）单片化。

14.如在权利要求13中要求保护的所述方法，

其中在牺牲层（300）的移除之前或在牺牲层（300）的移除之后，实现模制主体（200）的划切。