[发明专利]高速沉积混合氧化物阻挡膜在审
| 申请号： | 201580055457.5 | 申请日： | 2015-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN107210199A | 公开（公告）日： | 2017-09-26 |
| 发明（设计）人： | 艾瑞克·R·迪基;布莱恩·拉森·丹费斯 | 申请（专利权）人： | 路特斯应用技术有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司11002 | 代理人： | 王朋飞,张晶 |
| 地址： | 美国俄*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及金属氧化物阻挡膜，并且具体地涉及用于高速沉积这种阻挡膜的方法。公开了能够产生水蒸汽透过率(WVTR)低于0.1g/(m2·天)的阻挡膜的方法。公开了用于在原子层沉积(ALD)反应器内连续地输送衬底并执行有限数量的ALD循环以实现期望的WVTR的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 高速 沉积 混合 氧化物 阻挡 | ||
【主权项】：
在衬底上形成阻挡层的方法，所述方法包括：在原子层沉积(ALD)反应器内以至少约2米/秒(m/s)的速度连续地输送所述衬底；和在所述衬底移动的同时，在第一ALD循环中将氧化铝或二氧化钛中的一种沉积在所述衬底的一部分上；和在所述衬底移动的同时，在第二ALD循环中将氧化铝或二氧化钛中的另一种沉积在所述衬底的相同部分上，重复所述沉积步骤总共约50个以下的ALD循环，从而形成包含氧化铝和二氧化钛并具有小于约0.1g/(m2·天)的水蒸汽透过率(WVTR)的阻挡层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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