[发明专利]加热冷却设备有效
申请号: | 201580054134.4 | 申请日: | 2015-12-25 |
公开(公告)号: | CN107112247B | 公开(公告)日: | 2019-09-20 |
发明(设计)人: | 横山胜治;松下毅;中原浩昭;竹内正树;和田刚典;菊池昌宏;五十岚嘉男;成瀬光洋;百瀬政弘 | 申请(专利权)人: | 富士电机株式会社 |
主分类号: | H01L21/52 | 分类号: | H01L21/52;B23K1/00;B23K1/002;B23K1/008;B23K3/04;B23K31/02;H05K3/34 |
代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种加热冷却设备,该加热冷却设备能够在具有气密性的处理室内进行加热和冷却的处理,能够提高加热冷却效率并且实现装置的小型化。加热冷却设备(100)具备气密性的处理室(4)、对被处理构件(1)进行加热的包括感应加热线圈(2a)的感应加热装置(2)、对被处理构件(1)进行冷却的冷却装置(3)、用于测定被处理构件(1)的温度的温度传感器(5)以及对感应加热装置(2)和冷却装置(3)进行控制的控制装置(6)。在加热冷却设备(100)中还设置有移动装置(15),该移动装置(15)使被处理构件(1)和冷却装置(3)的冷却部(3a)中的至少一方移动,来变更被处理构件(1)与冷却部(3a)之间的距离。 | ||
搜索关键词: | 加热 冷却 设备 | ||
【主权项】:
1.一种加热冷却设备,其特征在于,具备:气密性的处理室,其具有能够取出和放入被处理构件的开闭机构;感应加热装置,其对所述被处理构件进行加热,包括一个或多个感应加热线圈;冷却装置,其对所述被处理构件进行冷却;温度传感器,其用于测量所述被处理构件的温度;以及控制装置,其基于由所述温度传感器测量出的温度来对所述感应加热装置和所述冷却装置进行控制,其中,在所述加热冷却设备中设置有移动装置,该移动装置使所述被处理构件和/或所述冷却装置的冷却部移动,来变更所述被处理构件与所述冷却装置的冷却部之间的距离,所述加热冷却设备还具备冷却板,其位于所述被处理构件与所述感应加热线圈之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于富士电机株式会社,未经富士电机株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201580054134.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:水利水电施工接地保护方法
- 下一篇:香薰加湿器
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造