[发明专利]层叠膜和挠性电子设备在审
申请号: | 201580051842.2 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN106715116A | 公开(公告)日: | 2017-05-24 |
发明(设计)人: | 李冠;山下恭弘;野殿光纪 | 申请(专利权)人: | 住友化学株式会社 |
主分类号: | B32B9/00 | 分类号: | B32B9/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人: | 赵雁,金世煜 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明的课题在于提供在高温的使用环境下也具有高密合性的阻气性的层叠膜。本发明的层叠膜具有挠性基材、与上述基材的至少单面相接而设置的有机层和在上述有机层上相接而设置的薄膜层,上述有机层含有丙烯酸酯树脂,上述薄膜层含有Si、O和C,在上述薄膜层的硅分布曲线、氧分布曲线及碳分布曲线中,全部满足下述条件(i)~(iii)。(i)Si的原子数比、O的原子数比和C的原子数比在上述薄膜层的膜厚方向的90%以上的区域中满足下述式(1),O的原子数比>Si的原子数比>C的原子数比(1)(ii)上述碳分布曲线具有至少一个极值,以及(iii)上述碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值与最小值之差的绝对值为0.05以上。 | ||
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【主权项】:
一种层叠膜,其具有挠性基材、与所述基材的至少单面相接而设置的有机层和在所述有机层上相接而设置的薄膜层,所述有机层含有丙烯酸酯树脂,所述薄膜层含有硅原子、氧原子和碳原子,在分别表示所述薄膜层的膜厚方向的距所述薄膜层的表面的距离,与相对于位于所述距离的点的所述薄膜层中含有的硅原子、氧原子和碳原子的总数的硅原子数的比率即硅的原子数比、氧原子数的比率即氧的原子数比、碳原子数的比率即碳的原子数比的关系的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中,全部满足下述条件(i)~(iii):(i)硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比在所述薄膜层的膜厚方向的90%以上的区域中满足下述式(I),氧的原子数比>硅的原子数比>碳的原子数比 (I)(ii)所述碳分布曲线具有至少一个极值,(iii)所述碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值与最小值之差的绝对值为0.05以上。
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