[发明专利]层叠膜和挠性电子设备

权利要求书

1.一种层叠膜，其具有挠性基材、与所述基材的至少单面相接而设置的有机层和在所述有机层上相接而设置的薄膜层，

所述有机层含有丙烯酸酯树脂，

所述薄膜层含有硅原子、氧原子和碳原子，

在分别表示所述薄膜层的膜厚方向的距所述薄膜层的表面的距离，与相对于位于所述距离的点的所述薄膜层中含有的硅原子、氧原子和碳原子的总数的硅原子数的比率即硅的原子数比、氧原子数的比率即氧的原子数比、碳原子数的比率即碳的原子数比的关系的硅分布曲线、氧分布曲线和碳分布曲线中，全部满足下述条件(i)～(iii)：

(i)硅的原子数比、氧的原子数比和碳的原子数比在所述薄膜层的膜厚方向的90％以上的区域中满足下述式(I)，

氧的原子数比＞硅的原子数比＞碳的原子数比(I)

(ii)所述碳分布曲线具有至少一个极值，

(iii)所述碳分布曲线中的碳的原子数比的最大值与最小值之差的绝对值为0.05以上。

2.根据权利要求1所述的层叠膜，其中，所述有机层可以含有填料成分，从所述有机层的总重量中除去所述有机层中含有的填料成分而得到重量W₀，将所述丙烯酸酯树脂成分的重量W₁相对于重量W₀以重量比W₁/W₀表示的情况下，重量比W₁/W₀在下述式(2)的范围，

0.60≤W₁/W₀≤1.00(2)。

3.根据权利要求1或2所述的层叠膜，其中，从所述有机层的总重量中除去所述有机层中含有的填料成分而得到重量W₀，将有机硅化合物成分的重量W₂相对于重量W₀以重量比W₂/W₀表示的情况下，重量比W₂/W₀在下述式(3)的范围，

W₂/W₀≤0.10(3)。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的层叠膜，其中，对所述薄膜层表面进行红外光谱测定的情况下，存在于950～1050cm^-1的峰值强度(I₁)与存在于1240～1290cm^-1的峰值强度(I₂)的强度比在下述式(4)的范围，

0.01≤I₂/I₁＜0.05(4)。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的层叠膜，其中，对所述薄膜层表面进行红外光谱测定的情况下，存在于950～1050cm^-1的峰值强度(I₁)与存在于770～830cm^-1的峰值强度(I₃)的强度比在下述式(5)的范围，

0.25≤I₃/I₁≤0.50(5)。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的层叠膜，其中，对所述薄膜层表面进行红外光谱测定的情况下，存在于770～830cm^-1的峰值强度(I₃)与存在于870～910cm^-1的峰值强度(I₄)的强度比在下述式(6)的范围，

0.70≤I₄/I₃＜1.00(6)。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的层叠膜，其中，所述薄膜层是利用等离子体CVD法而形成的。

8.一种挠性电子设备，其中，将权利要求1～7中任一项所述的层叠膜用作基板。