[发明专利]利用能够执行NVM及DRAM功能的存储器储存信息的方法及设备在审

专利信息
申请号: 201580051577.8 申请日: 2015-09-24
公开(公告)号: CN107077878A 公开(公告)日: 2017-08-18
发明(设计)人: 许富菖 申请(专利权)人: NEO半导体公司
主分类号: G11C7/10 分类号: G11C7/10
代理公司: 北京市京大律师事务所11321 代理人: 王凝,李洪群
地址: 美国加利福*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 一种能够使用晶载动态随机存储器(“DRAM”)与非易失存储器(“NVM”)储存数据的存储设备。一方面,该存储设备包括NVM单元、字线(WLs)、单元信道、及DRAM模式选择。该NVM单元能够持续地保留信息;以及该WLs被配置用于选择NVM单元中的一个为待被存取的。在一个具体实施方式中,单元信道被配置用于使NVM单元相互连接以形成NVM串。DRAM模式选择被激活时,DRAM模式选择能够临时地将数据储存在单元信道中。
搜索关键词: 利用 能够 执行 nvm dram 功能 存储器 储存 信息 方法 设备
【主权项】:
一种能够储存信息的存储设备,包括:多个第一非易失性存储(“NVM”)单元,其能够持续地保留信息;多个第一字线(“WLs”),其耦接至所述多个NVM单元并且被配置用于选择所述多个第一NVM单元中的一个为待被存取的;第一单元信道,其耦接至所述多个NVM单元并且被配置用于使所述多个NVM单元相互连接,以形成第一NVM串;以及第一动态随机存取存储(“DRAM”)模式选择,其耦接至所述第一NVM串并且被配置用于:当所述第一DRAM模式选择被激活时,临时地将数据储存于所述第一单元信道中。
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