[发明专利]提供使用SRAM及非挥发性记忆体装置的多页读写方法及设备在审
| 申请号： | 201580049358.6 | 申请日： | 2015-09-15 |
| 公开（公告）号： | CN107124903A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 许富菖 | 申请（专利权）人： | NEO半导体公司 |
| 主分类号： | G11C14/00 | 分类号： | G11C14/00 |
| 代理公司： | 北京市盈科律师事务所11344 | 代理人： | 岳蕊 |
| 地址： | 美国加利福尼*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种记忆装置，其包括静态随机存取记忆体(SRAM)电路、及一第一非挥发性记忆体(NVM)串、一第二NVM串、一第一及一第二漏极选择闸极(DSGs)。该SRAM电路能够暂时地储存响应于位线(BL)信息的信息，其耦接于该SRAM电路的输入终端。该第一NVM串具有至少一非挥发性记忆体单元且耦接于该SRAM的输出终端。该第一DSG可操作地控制将该SRAM的输出终端的信息储存至该第一非挥发性记忆体的时序。该第二NVM串具有至少一非挥发性记忆体单元且耦接于该SRAM的输出终端。该第二DSG用以控制将该SRAM输出终端的信息储存至第二非挥发性记忆体串的时序。 | ||
| 搜索关键词： | 提供 使用 sram 挥发性 记忆体 装置 读写 方法 设备 | ||
【主权项】：
一种能够储存信息之记忆装置，其包含：一静态随机存取记忆体(SRAM)电路，其具有一输出终端和一输入终端，且被配置成暂时储存响应于该输入终端之位线(BL)信息的信息；一第一非挥发性记忆体串，其具有至少一非挥发性记忆格(memory cell)且耦接于该SRAM之输出终端；一第一漏极选择闸极(DSG)，其耦接于该SRAM且可操作地控制：将该SRAM之输出终端的信息储存至该第一非挥发性记忆体之时序；一第二非挥发性记忆体串，其具有至少一非挥发性记忆格且耦接于该SRAM之该输出终端；以及一第二漏极选择闸极(DSG)，其耦接于该SRAM且被配置成控制：将该SRAM之输出终端的信息储存至该第二非挥发性记忆体串之时序。
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