[发明专利]单晶的制造方法有效
| 申请号： | 201580048867.7 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN106687625B | 公开（公告）日： | 2019-06-21 |
| 发明（设计）人： | 高岛祥;宫原祐一;岩崎淳 | 申请（专利权）人： | 信越半导体株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;C30B15/20 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;谢顺星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明是一种单晶的制造方法，其特征在于，在将熔融液面上的炉内构造物设置于提拉室的状态下测量从位于所述熔融液面上的规定高度的基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离，并求出该测量的距离与预先设定的从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离的差即下端部位置误差，通过将该下端部位置误差与从所述基准高度位置到熔融液面位置的距离相加，从而求出从所述熔融液面到所述基准高度位置的目标距离，使从所述熔融液面的初始位置到所述基准高度位置的距离成为所述目标距离，从而将所述间隔调整成规定距离。由此，即使未在炉内局部性地设置要求精度的位置、且更换构成炉内构造物的部件的情况下，也能够将熔液表面间隔调整成规定距离。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种单晶的制造方法，其特征在于，在基于切克劳斯基法从坩埚内的原料熔融液用线提拉单晶进行培育时，将所述原料熔融液的熔融液面与配置于该熔融液面上的炉内构造物的下端部的间隔调整成规定的距离来生长单晶，在将所述熔融液面上的炉内构造物设置于提拉室的状态下，测量从位于所述熔融液面上，并且在所述提拉室内的规定高度的基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离，并求出该测量的距离与预先设定的从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离的差即下端部位置误差，通过将该下端部位置误差与从所述基准高度位置到熔融液面位置的距离相加，从而求出从所述熔融液面到所述基准高度位置的目标距离，使从所述熔融液面的初始位置到所述基准高度位置的距离成为所述目标距离，由此将所述间隔调整成规定距离，用平坦的板堵塞所述炉内构造物的下端部而形成平坦面，通过线驱动部，使保持在位于所述线的前端的晶种保持器上的晶种卷绕下降，使所述晶种降下，来进行从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离的测量，使用所述晶种从所述基准高度位置直到到达所述平坦面所测量的距离，作为从所述基准高度位置到所述炉内构造物的下端部的距离。
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