[发明专利]静电夹盘及其制造方法有效
| 申请号： | 201580045915.7 | 申请日： | 2015-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN106796901B | 公开（公告）日： | 2020-11-20 |
| 发明（设计）人： | M·利普森;V·迪米利亚;R·P·托蒂洛;T·尤特迪杰克;S·M·齐默曼 | 申请（专利权）人： | ASML控股股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/683;G03F7/20 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华;张宁 |
| 地址： | 荷兰维*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 公开了一种静电夹盘及其制造方法。静电夹盘包括具有第一超低膨胀(ULE)材料的第一层，耦合至第一层、具有第二ULE材料的第二层，以及耦合至第二层、具有第三ULE材料的第三层。静电夹盘进一步包括位于第一层和第二层之间的多个流体通道，以及插入在第二层和第三层之间的复合层。用于制造静电夹盘的方法包括形成多个流体通道，在第三层上布置复合层，以及将第三层耦合至第二层。配置多个流体通道以输送热调节流体用于所夹持物体的温度调节。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种静电夹盘，包括：第一层，具有第一超低膨胀(ULE)材料；第二层，耦合至所述第一层，所述第二层具有第二ULE材料；多个流体通道，位于所述第一层和所述第二层之间，所述多个流体通道被配置用于输送热调节流体；第三层，耦合至所述第二层，所述第三层具有第三ULE材料；以及复合层，插入在所述第二层和所述第三层之间。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
