[发明专利]非易失性存储器模块在审

专利信息
申请号: 201580045590.2 申请日: 2015-08-26
公开(公告)号: CN106663456A 公开(公告)日: 2017-05-10
发明(设计)人: M.普拉卡什;E.L.佩顿;J.K.格鲁姆斯;D.齐亚卡斯;M.阿拉法;R.K.拉马努延;D.王 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: G11C5/04 分类号: G11C5/04;G11C7/10;G11C11/406;G11C14/00
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司72001 代理人: 张凌苗,刘春元
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 描述了存储器模块、控制器和包括存储器模块的电子设备。在一个实施例中,存储器模块包括非易失性存储器和到易失性存储器总线的接口、用以从主机平台接收功率的至少一个输入功率轨以及控制器,所述控制器包括逻辑,其至少部分地包括硬件逻辑,用以将来自输入功率轨的功率从输入电压转换成不同于输入电压的至少一个输出电压。还公开和要求保护其他实施例。
搜索关键词: 非易失性存储器 模块
【主权项】:
一种存储器模块,其包括:非易失性存储器;到易失性存储器总线的接口;至少一个输入功率轨,用以从主机平台接收功率;以及控制器,所述控制器包括逻辑,其至少部分地包括硬件逻辑,用以:将来自输入功率轨的功率从输入电压转换成不同于输入电压的至少一个输出电压。
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