[发明专利]抗蚀剂上层膜形成用组合物和使用它的半导体装置的制造方法有效
| 申请号： | 201580040881.2 | 申请日： | 2015-07-23 |
| 公开（公告）号： | CN106575082B | 公开（公告）日： | 2020-09-25 |
| 发明（设计）人： | 藤谷德昌;远藤贵文;坂本力丸 | 申请（专利权）人： | 日产化学工业株式会社 |
| 主分类号： | G03F7/11 | 分类号： | G03F7/11 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人： | 孙丽梅;段承恩 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种在半导体装置的制造工序中的光刻工艺中使用的EUV或电子束抗蚀剂上层膜形成用组合物，包含(a)聚合物(P)和(b)溶剂，该溶剂包含相对于该溶剂全体为1质量％～13质量％的碳原子数为4～12的酮化合物，所述EUV或电子束用抗蚀剂上层膜形成用组合物不与抗蚀剂混合，特别是在EUV曝光时遮蔽不优选的曝光光线例如UV、DUV而仅仅选择性透过EUV，此外，曝光后能够用显影液进行显影。 | ||
| 搜索关键词： | 抗蚀剂 上层 形成 组合 使用 半导体 装置 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种EUV或电子束用抗蚀剂上层膜形成用组合物，包含：(a)聚合物(P)、和(b)溶剂，该溶剂包含占该溶剂全体的1质量％～13质量％的碳原子数为4～12的酮化合物。
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