[发明专利]用于电子器件的纳米探测的装置以及方法有效

专利信息
申请号: 201580040283.5 申请日: 2015-06-25
公开(公告)号: CN107004553B 公开(公告)日: 2019-07-26
发明(设计)人: V·乌克兰采夫;I·尼夫;R·本蔡恩 申请(专利权)人: FEI埃法有限公司
主分类号: H01J37/20 分类号: H01J37/20;H01L21/66;G01R1/06;G01R31/307;G01R31/28
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 72002 代理人: 陈松涛;韩宏
地址: 美国加*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 一种用于使用扫描电子显微镜(SEM)和纳米探针的组合来探测待测半导体器件(DUT)的方法,包括:获得DUT中感兴趣区域(ROI)的SEM图像;获得ROI的CAD设计图像;将CAD设计图像与SEM图像进行配准以识别接触目标;获得对应于接触目标的网表,并使用网表来确定应当选择哪个接触目标作为测试目标;以及对纳米探针导航以使纳米探针落在每个测试目标上并在纳米探针与相应的测试目标之间形成电气接触。
搜索关键词: 用于 电子器件 纳米 探测 装置 以及 方法
【主权项】:
1.一种用于对半导体器件执行纳米探测的纳米探针,包括:致动器;探针臂,所述探针臂在第一端部处耦合到所述致动器,其中,所述致动器被配置为根据所述致动器接收到的运动信号来移动所述探针臂;探针头,所述探针头附接到所述探针臂的第二端部;多个探针尖端,每个探针尖端均以特定的单个取向固定地附接到所述探针头,以使得所述多个探针尖端形成与所述半导体器件的探测目标的几何布置相对应的固定布置。
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