[发明专利]用于检测低光信号的电子轰击检测器及其操作方法有效
申请号: | 201580039421.8 | 申请日: | 2015-07-15 |
公开(公告)号: | CN106537596B | 公开(公告)日: | 2018-09-14 |
发明(设计)人: | 江希曼;S·比耶拉克;J·费尔登 | 申请(专利权)人: | 科磊股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 张世俊 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明涉及一种用于检测低光信号的电子轰击检测器,其包含:真空管结构,其界定圆柱形真空管腔室;光电阴极,其安置在所述真空管腔室的第一端处;传感器,其安置在所述真空管腔室的第二端处;环电极,其安置在所述真空管腔室中用于产生使所发射的光电子朝向所述传感器加速的电场;及磁场产生器,其经配置以产生施加聚焦透镜效应于所述光电子上的对称磁场。所述环电极及所述磁场产生器是使用缩短距离聚焦方法及加速/减速方法中的一者而操作,使得所述光电子具有低于2keV的着靶能量。反射模式光电阴极的使用是使用多极偏转器线圈或由分段圆形电极结构形成的环电极而实现。大角度偏转是使用磁偏转器或静电偏转器而实现。 | ||
搜索关键词: | 高分辨率 量子 效率 电子 轰击 ccd cmos 成像 传感器 | ||
【主权项】:
1.一种用于检测低光信号的电子轰击检测器,所述电子轰击检测器包括:真空管结构,其界定具有第一端及相对第二端的圆柱形真空管腔室;光电阴极,其安置在所述真空管腔室的所述第一端处,且包含响应于所述低光信号发射光电子的材料;传感器,其安置在所述真空管腔室的所述第二端处且经配置以接收至少一些所发射的光电子,且响应于所接收的光电子产生电信号;多个环电极,其安置在所述真空管腔室中,每一所述环电极经配置以响应于所施加的电压产生电场,所述电场使所述所发射的光电子朝向所述真空管腔室的所述第二端加速;磁场产生器,其安置成邻近所述真空管结构且经配置以在所述真空管腔室中产生对称磁场,使得所述对称磁场施加聚焦透镜效应于经加速的光电子上;及控制器,其经配置以将所述所施加的电压传输到所述多个环电极,使得所述光电阴极周围的所述环电极上的所述所施加的电压经调整以补偿电子光学像差,其中所述电子轰击检测器经配置使得由所述传感器接收的所述光电子具有低于2keV的着靶能量。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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