[发明专利]有机半导体薄膜的形成方法、以及使用该方法的有机半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201580038837.8 | 申请日： | 2015-07-14 |
| 公开（公告）号： | CN106796987B | 公开（公告）日： | 2019-03-01 |
| 发明（设计）人： | 酒井正俊;工藤一浩;贞光雄一 | 申请（专利权）人： | 日本化药株式会社 |
| 主分类号： | H01L51/05 | 分类号： | H01L51/05;H01L21/336;H01L21/368;H01L29/786;H01L51/40 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人： | 胡嵩麟;王海川 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供可以通过短时间的处理形成有机半导体薄膜的有机半导体薄膜的形成方法，并且提供利用上述有机半导体薄膜的有机半导体器件，以及生产量高的有机半导体器件的制造方法。在包含有机半导体材料(7)的有机半导体薄膜(4)的形成方法中，对有机半导体材料(7)一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料(7)制成薄膜。有机半导体器件的制造方法为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其中，通过上述形成方法形成有机半导体薄膜。有机半导体器件为通过上述制造方法制造的有机半导体器件。 | ||
| 搜索关键词： | 有机半导体 薄膜 形成 方法 以及 使用 有机 半导体器件 及其 制造 | ||
【主权项】：
1.一种有机半导体器件的制造方法，其为包含有机半导体薄膜的有机半导体器件的制造方法，其特征在于，所述有机半导体器件为有机薄膜晶体管，所述有机薄膜晶体管为有机场效应晶体管，所述有机场效应晶体管在基材上具备：以相互隔开的方式设置的源极和漏极、设置在所述源极与所述漏极之间的含有包含有机半导体材料的有机半导体薄膜的半导体层、以与所述半导体层相对的方式设置的栅极、以及设置在所述半导体层与所述栅极之间的绝缘层；所述制造方法包括：在形成有机半导体薄膜前将有机半导体材料配置在所述基材上的配置工序，通过以下方法形成有机半导体薄膜：对有机半导体材料一边施加压力一边赋予超声波振动，由此将有机半导体材料制成薄膜。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
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