[发明专利]PZT薄膜层叠体和PZT薄膜层叠体的制造方法有效
| 申请号： | 201580034198.8 | 申请日： | 2015-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN106463608B | 公开（公告）日： | 2019-07-12 |
| 发明（设计）人： | 广濑光隆;小林宏树;逸见充则;塚越和也;露木达郎;木村勋;邹弘纲 | 申请（专利权）人： | 株式会社爱发科 |
| 主分类号： | H01L41/319 | 分类号： | H01L41/319;C23C14/08;C23C14/34;H01L41/047;H01L41/29;H01L41/316 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 闫小龙;郑冀之 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在通过溅射形成PZT薄膜时在不使用以往的种子层的情况下抑制作为杂质相的烧绿石相的生成的技术。本发明是具有在Si基板10上经由作为铂紧贴层的TiOX层4而设置的Pt电极层5、在Pt电极层5上形成的Ti薄膜层6、以及在Ti薄膜层6上形成的PZT薄膜层7的PZT薄膜层叠体。能够使Ti薄膜层6的厚度为1nm以上10nm以下。 | ||
| 搜索关键词： | pzt 薄膜 层叠 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种PZT薄膜层叠体的制造方法，制造PZT薄膜层叠体，其中，准备经由由钛氧化物构成的铂紧贴层而设置有铂电极层的半导体基体，并且，所述方法具有：第一工序，在真空中通过溅射在所述半导体基体上的所述铂电极层上以1nm以上且小于10nm的厚度形成钛薄膜层；以及第二工序，在真空中通过使用了PZT靶的溅射，在所述铂电极层上形成所述钛薄膜层以及作为Pb与O的反应层的PTO层，并且在该PTO层上形成PZT薄膜层，在所述第一工序与所述第二工序之间，将形成有所述钛薄膜层的该半导体基体配置在真空环境下。
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