[发明专利]半极性晶体结构的制造在审
| 申请号： | 201580030314.9 | 申请日： | 2015-06-08 |
| 公开（公告）号： | CN106463346A | 公开（公告）日： | 2017-02-22 |
| 发明（设计）人： | 王涛 | 申请（专利权）人： | 塞伦光子学有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司11240 | 代理人： | 陈鹏;李静 |
| 地址： | 暂无信息 | 国省代码： | 英国;GB |
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| 摘要： | 一种生长III族氮化物晶体方法，包括：提供硅衬底(12)；在衬底上形成第一掩模(10)，该掩模具有多个通过该掩模的孔(14)，每个孔暴露硅衬底的相应区域；蚀刻由每个孔暴露的硅，以形成具有多个面(18、20、22、24)的相应的凹槽(16)；在每个凹槽的一些面的上方沉积第二掩模，留下每个凹槽的至少一个面(22)暴露；并在所暴露的面(22)上生长III族氮化物，然后，在衬底上方生长III族氮化物，以形成连续层。 | ||
| 搜索关键词： | 极性 晶体结构 制造 | ||
【主权项】：
一种生长III族氮化物的晶体结构的方法，包括：提供硅衬底；在所述衬底上形成第一掩模，所述掩模具有穿过该掩模的多个孔，每个所述孔暴露所述硅衬底的相应区域；蚀刻由每个所述孔暴露的硅以形成具有多个面的相应的凹槽；在每个凹槽的一些面的上方沉积第二掩模，留下每个凹槽的至少一个面暴露；并在所暴露的面上生长所述III族氮化物，然后在所述衬底的上方生长所述III族氮化物，以形成连续层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
