[发明专利]阱电阻和多晶硅电阻

摘要

在所描述的示例中，包含阱电阻(110)的集成电路(100)具有在阱电阻(110)中的STI场氧化物(108)和电阻虚设有源区(118)。STI沟槽被蚀刻并填充有沟槽填充介电材料。沟槽填充介电材料通过CMP工艺被从有源区(118)的上方去除，留下STI沟槽中的STI场氧化物(108)。随后，掺杂剂被注入阱电阻区中的衬底(102)中以形成阱电阻(110)。

主权项

一种集成电路，其包含：衬底，其包含在所述衬底的顶表面处的半导体材料；场氧化物，其由浅沟槽隔离工艺即STI工艺形成并被设置在所述衬底的所述顶表面处；阱电阻，其被设置在所述场氧化物下方的所述半导体材料中；电阻前端有源区，其被设置为穿过所述场氧化物与所述阱电阻两端相邻；以及电阻虚设有源区，其被设置为穿过在所述阱电阻的区域中的所述场氧化物，所述电阻虚设有源区在所述衬底上方没有电连接，并且所述电阻虚设有源区具有10％至80％的密度。