[发明专利]无金属接触的近红外锗光电探测器

摘要

说明了被构造为不掺杂锗和不用金属来接触锗的硅上锗光电探测器。尽管简化了制造工艺，但是器件的响应度为1.24A/W，对应的量子效率是99.2％。在‑4V反向偏置电压的情况下，暗电流为40nA。3‑dB带宽是30GHz。

主权项

一种锗光电探测器，其包括：第一掺杂半导体接触；第二掺杂半导体接触；和与所述第一掺杂半导体接触电接触且与所述第二掺杂半导体接触电接触的本征锗体，所述第一掺杂半导体接触和所述第二掺杂半导体接触被布置在所述本征锗体的同一侧，所述本征锗体不与金属接触直接机械接触；所述第一掺杂半导体接触和所述第二掺杂半导体接触分别与各自的金属端子电通信，所述金属端子被构造为将所述锗光电探测器中通过吸收电磁辐射而产生的电信号提供至所述锗光电探测器外部的电路。