[发明专利]刻蚀衬底的方法、刻蚀装置结构的方法及处理设备有效
| 申请号： | 201580024163.6 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106463613B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·葛特;丹尼尔·迪斯塔苏;尼尼·文奴斯;崔斯坦·马;刘宇 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明涉及一种刻蚀衬底的方法、刻蚀装置结构的方法及处理设备，所述刻蚀衬底的方法包含使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底。所述方法可进一步包含：检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变，基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合，及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。在检测溅射的物质时，可自动调整例如提取电压及RF功率等处理设备的控制设置以产生具有仍然较高离子能量及较高平均角的离子束。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 动态控制 离子束 能量 角度 设备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种刻蚀衬底的方法，其特征在于，包括：使用处理设备的控制设置的第一集合通过所述处理设备的提取板将第一离子束导引到所述衬底；检测来自所述衬底的信号，所述信号指示由所述第一离子束刻蚀的材料的从第一材料到第二材料的改变；基于所述第二材料将所述处理设备的控制设置调整到不同于控制设置的所述第一集合的控制设置的第二集合；以及使用控制设置的所述第二集合通过所述提取板将第二离子束导引到所述衬底。
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