[发明专利]刻蚀衬底的方法、刻蚀装置结构的方法及处理设备有效
| 申请号： | 201580024163.6 | 申请日： | 2015-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN106463613B | 公开（公告）日： | 2019-07-23 |
| 发明（设计）人： | 卢多维克·葛特;丹尼尔·迪斯塔苏;尼尼·文奴斯;崔斯坦·马;刘宇 | 申请（专利权）人： | 瓦里安半导体设备公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L43/02 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 马爽;臧建明 |
| 地址： | 美国麻萨诸塞*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 用于 动态控制 离子束 能量 角度 设备 方法 | ||
【权利要求书】：
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