[发明专利]等离子体处理方法和等离子体处理装置有效
| 申请号： | 201580023430.8 | 申请日： | 2015-05-20 |
| 公开（公告）号： | CN106463389B | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 平山祐介;宫川正章 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;C23C16/509;H01L21/205;H05H1/46 |
| 代理公司： | 11277 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) | 代理人： | 刘新宇;张会华<国际申请>=PCT/JP |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 保护腔室的内部的构件免受等离子体的影响，防止变质以及消耗。等离子体处理方法包括成膜工序、等离子体处理工序、以及去除工序。在成膜工序中，利用含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.4的含氧气体以及含硅气体这两者的等离子体在腔室的内部的构件的表面形成氧化硅膜。在氧化硅膜形成于构件的表面后，在等离子体处理工序中利用处理气体的等离子体对输入到腔室的内部的被处理体进行等离子体处理。在将被等离子体处理后的被处理体输出到腔室的外部后，在去除工序中利用含氟气体的等离子体将氧化硅膜从构件的表面去除。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 方法 装置 | ||
【主权项】：
1.一种等离子体处理方法，其特征在于，/n该等离子体处理方法包括如下工序：/n成膜工序，在该成膜工序中，利用含氧气体的流量与含硅气体的流量之比是0.2～1.0的所述含氧气体以及所述含硅气体这两者的等离子体在腔室的内部的构件的表面形成氧化硅膜；/n等离子体处理工序，在所述氧化硅膜形成于所述构件的表面后，在该等离子体处理工序中利用处理气体的等离子体对输入到所述腔室的内部的被处理体进行等离子体处理；/n去除工序，在被等离子体处理后的所述被处理体被输出到所述腔室的外部后，在该去除工序中利用含氟气体的等离子体将所述氧化硅膜从所述构件的表面去除。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
